Výrobca Číslo produktu:
CTLDM303N-M832DS TR
Product Overview
Výrobca:
Central Semiconductor Corp
Číslo dielu:
CTLDM303N-M832DS TR-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 3.6A 1.65W Surface Mount TLM832DS
Inventár:
12789306
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CTLDM303N-M832DS TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Central Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.6A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
590pF @ 10V
Výkon - Max
1.65W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-TDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
TLM832DS
Základné číslo produktu
CTLDM303N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
CTLDM303N-M832DS CT-DG
-CTLDM303N-M832DSCT
CTLDM303N-M832DS TR-DG
-CTLDM303N-M832DS TR PBFREE
CTLDM303N-M832DS TR LEAD FREE
-CTLDM303N-M832DSDKR
CTLDM303N-M832DSDKR
-CTLDM303N-M832DS DKR-DG
CTLDM303N-M832DS DKR-DG
CTLDM303N-M832DSCT
CTLDM303N-M832DS DKR
CTLDM303N-M832DS CT
-CTLDM303N-M832DS TR-DKR
-CTLDM303N-M832DS TR-DKR-DG
-CTLDM303N-M832DS TR-DG
-CTLDM303N-M832DS CT-DG
-CTLDM303N-M832DS TR
-CTLDM303N-M832DS TR-CT-DG
CTLDM303N-M832DS TR PBFREE
CTLDM303N-M832DSTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CSD86336Q3DT
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
CMLDM7003G TR
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
CTLDM304P-M832DS TR
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
